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智慧財產法院行政判決             98 年度行專訴字第 14 號
                          民國 98 年 5  月 21 日辯論終結
原      告  勝○科技股份有限公司
代  表  人  劉○洲
訴訟代理人  何愛文  律師（兼送達代收人）
            范清銘  律師
            范銘祥  律師
被      告  經濟部
代  表  人  尹○銘（部長）
訴訟代理人  楊○滿
參  加  人  華○電子股份有限公司
代  表  人  杜○元
訴訟代理人  翁祖立  律師（兼送達代收人）
            林芳如  律師
            金○書  專利代理人
上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國97
年11月21日經訴字第09706116410號訴願決定，提起行政訴訟，
本院判決如下︰
    主  文
原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
    事實及理由
一、事實概要：緣原告勝○科技股份有限公司前於民國89年11月
    22日以「積體電路堆疊構造及其製造方法(一)」向被告申請發
    明專利（下稱系爭專利），經被告編為第89124965號審查，
    准予專利，並於公告期滿後，發給發明第145039號專利證書
    。嗣參加人以其違反系爭專利核准時專利法第20條第2 項及
    第71條第3 款之規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。
    案經原處分機關審查，於96年7 月5 日以（96）智專三(二)
    04060 字第09620374570 號專利舉發審定書為「舉發不成立
    」之處分。參加人不服，乃向被告提起訴願，經被告於97年
    11月21日以經訴字第09706116410 號訴願決定為「原處分撤
    銷，由原處分機關另為適法之處分」，原告不服，遂向本院
    提起行政訴訟。
二、原告起訴主張：
  (一)訴願決定針對系爭專利進步性之判斷顯有不備理由之處，應
    予撤銷：
  系爭專利之申請專利範圍第1項及第6項分別為獨立項，各有
    其個別之技術特徵，訴願決定並未載明系爭專利申請專利範
    圍第1項及第6項個別之技術特徵與諸舉發證據等前案相較如
    何不具進步性之個別理由，亦即訴願決定並未就每一申請專
    利範圍各別判斷其進步性。且本件訴願決定理由於簡單描述
    習知技藝、證據1、證據2之技術後，即直接論結「因此系爭
    專利申請專利範圍第1項及第6項，為所屬技術領域具有通常
    知識者，可運用習知技藝或證據1與證據2揭露之資訊輕易結
    合者，即為運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技
    術者所能輕易完成者，應不具進步性云云，顯然未「依發明
    所屬技術領域，以及申請專利當時之技術水準（the state
    of the art），檢索申請當日之前之既有技術及／或知識作
    為引證資料，以研判發明之技術手段之選擇與結合，對於熟
    習該項技術者是否具有困難度」之基本原則，判斷本件之進
    步性。訴願決定理由有關系爭專利申請專利範圍第1、6項相
    較習知技藝或證據1與證據2如何不具進步性之理由中，並未
    載明有關申請專利之發明是否具有突出的技術特徵或顯然的
    進步之相關理由，且亦未載有文獻之組合是否為熟習該項技
    術者於申請當時所能輕易完成之相關理由。再者，針對習知
    技藝或證據1與證據2等文獻之技術內容是否屬於類似、接近
    或相關的技術領域（例如習知技藝之隔離層、證據1之間隙
    層與證據2之接合間隙層三者之技術內容即明顯不同）等基
    準所載之相關內容，訴願決定理由亦未載有相關論述。而針
    對習知技藝或證據1與證據2等文獻如何組合成為系爭專利，
    及該等文獻有否提供文獻組合之教示等等判斷申請專利之發
    明是否具有突出的技術特徵或顯然的進步，以及文獻之組合
    是否為熟習該項技術者於申請當時所能輕易完成之相關理由
    ，訴願決定理由亦未論述。
  系爭專利核准審定時所適用之83年1月21日修正公布之專利
    法第20條第2項規定：「發明係運用申請前既有之技術或知
    識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情
    事，仍不得依本法申請取得發明專利。」依本條規定，應以
    「熟習該項技術者」之標準來判斷進步性，與現行專利法第
    22條第4項係採「其所屬技術領域中具有通常知識者依申請
    前之先前技術所能輕易完成時」之判斷標準尚非一致。而依
    據前揭專利審查基準第2章規定，「熟習該項技術者」係指
    虛擬一具有申請專利當時知道該發明所屬技術領域之既有技
    術及知識之人，其可用研究、開發等一般技術性手段（指依
    據既有之技術或知識之基礎，經由邏輯分析、推理或試驗而
    得之技術手段），並發揮一般創作能力。惟訴願決定理由謂
    ：「因此系爭專利申請專利範圍第1項及第6項，為所屬技術
    領域具有通常知識者，可運用習知技藝或證據1與證據2揭露
    之資訊輕易結合者，即為運用申請前既有之技術或知識，而
    為熟習該項技術者所能輕易完成者，應不具進步性。」，其
    中出現「所屬技術領域具有通常知識者」與「熟習該項技術
    者」二用語，究二者為相同或不同之判斷標準？其標準是否
    合於審定本件專利進步性問題所應適用之前述83年1月21日
    修正公布之專利法第20條第2項之規定等，原訴願決定理由
    均未論及，顯見其未意識到專利法新舊變更之問題，復未說
    明本專利於申請時，熟習該項技術者可以輕易結合之理由，
    尤見其認事用法，顯有違誤。
  (二)系爭專利各申請專利範圍相較舉發證據，並非運用申請前既
    有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，確
    實具備進步性專利要件：
  習知技藝（系爭專利圖1 參照）係一種積體電路堆疊構造，
    包括有一基板（10）、一下層積體電路（12）、一上層積體
    電路（14）、複數個導線（16、17）及一隔離層（18）。下
    層積體電路（12）係設於基板（10）上，上層積體電路（14
    ）係藉由隔離層（18）疊合於下層積體電路（12）上方，使
    下層積體電路（12）與上層積體電路（14）形成一適當之間
    距（20）。習知技藝（系爭專利圖1 參照）與系爭專利相較
    ：習知技藝未揭露系爭專利申請專利範圍第1 項一上層積體
    電路（48），係疊合於該下層積體電路（32）之第二表面（
    36）上，藉由該黏著液（44）與下層積體電路（32）黏合固
    定，「且藉由該填充元件（46）之阻隔，使該下層積體電路
    （32）與該上層積體電路（48）間形成一適當之間距（50）
    」技術特徵，亦未揭露系爭專利申請專利範圍第6 項「提供
    一具有黏著液（44）及填充元件（46）之黏著層（42）於該
    下層積體電路上（32）；將一上層積體電路（48）疊合於該
    下層積體電路（32）上，藉由該黏著層（42）與該下層積體
    電路（32）黏合，且藉由該填充元件（46）之阻隔，使該下
    層積體電路（32）與該上層積體電路（48）間形成一適當之
    間距（50）」技術特徵。而系爭專利將黏著液（44）與填充
    元件（46）混合在一起成為一黏著層，使上層積體電路（48
    ）與下層積體電路（32）黏合時，可同時使上層積體電路（
    48）與下層積體電路（32）形成一間距（50），而複數條導
    線（40）則恰位於間距（50）內，不致被上層積體電路（48
    ）壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效
    ，相較習知技藝，系爭專利顯然係在技術發展空間有限之領
    域中，在技術上有微小的改進，依前開審查基準之規定得視
    為具有「顯然的進步」，而非為熟習該項技術者所能輕易完
    成。準此，依系爭專利核准審定時所適用之83年1月21日修
    正公布之專利法第20條第2項以及審查基準規定，系爭專利
    申請專利範圍第1及6項應具進步性。
  證據1 （見其中之圖1 ）係一種積體電路堆疊構造，包括有
    一基板（12）、第一晶片（18）、第二晶片（28）、複數條
    接合線（44）及一黏著層（38）。第一晶片（18）係設於基
    板（12）上，第二晶片（28）係藉由黏著層（38）疊合於第
    一晶片（18）上方，使第一晶片（18）與第二晶片（28）形
    成一適當之間距。證據1 與系爭專利相較：證據1 未揭露系
    爭專利申請專利範圍第1 項及第6 項之藉由該填充元件（46
    ）之阻隔，使該下層積體電路（32）與該上層積體電路（48
    ）間形成一適當之間距（50）技術特徵。而系爭專利使上層
    積體電路（48）與下層積體電路（32）形成一間距（50），
    而複數條導線（40）則恰位於間距（50）內，不致被上層積
    體電路（48）壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著
    堆疊之功效，相較證據1 ，系爭專利顯然係在技術發展空間
    有限之領域中，在技術上有微小的改進，依前開審查基準之
    規定得視為具有「顯然的進步」，而非為熟習該項技術者所
    能輕易完成。
  證據2 （見其中之圖1 ）揭露用於將半導體裸晶（10、材料
    為矽）連結至一基材（12、材料如陶瓷）的一種黏著接合材
    料（1 4 ），該黏著接合材料（14）包括複數個散佈於其中
    的黏著間隙元件（16）。依證據2 說明書第1 欄第40至65行
    所述，如果接合線厚度（Bond line thickness ）充足，合
    成的接合（The resultant bond）會展現對裸晶與基材之間
    熱延展差異的良好阻抗，並會產生具有高拉伸強度的接合…
    為了矽裸晶與陶瓷基材之間適當的接合，接合線厚度需隨著
    接合表面面積的增加而比例地增加，故證據2中的黏著間隙
    元件（16）所提供的接合線厚度是為了材料迥異的兩者（例
    如矽以及陶瓷）之間熱延展差異，提供良好阻抗。證據2與
    系爭專利相較：證據2未揭露系爭專利申請專利範圍第1項及
    第6項藉由該填充元件（46）之阻隔，使該下層積體電路（
    32）與該上層積體電路（48）間形成一適當之間距（50）技
    術特徵；即證據2黏著間隙元件（16）係用於連結材料不同
    之半導體裸晶（10、材料為矽）及一基材（12、材料如陶瓷
    ）；而系爭專利填充元件（46）係用於連結材料相同之上層
    積體電路（48）及下層積體電路（3 2）。而系爭專利使上
    層積體電路（48）與下層積體電路（32）形成一間距（50
    ），而複數條導線（40）則恰位於間距（50）內，不致被上
    層積體電路（48）壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以
    黏著堆疊之功效，相較證據2，系爭專利顯然係在技術發展
    空間有限之領域中，在技術上有微小的改進，依前開審查基
    準之規定得視為具有「顯然的進步」，而非為熟習該項技術
    者所能輕易完成。
  習知技藝、證據1 、2 均未揭露系爭專利申請專利範圍第1
    項及第6 項藉由該填充元件（46）之阻隔，使該下層積體電
    路（32）與該上層積體電路（48）間形成一適當之間距（5
    0 ）技術特徵已如上述，因此就系爭專利的該技術特徵而言
    ，習知技藝、證據1 、2 均不可能提供該技術特徵組合的教
    示。
  (三)系爭專利相較習知技藝、證據1、2具有「突出的技術特徵」
    或「顯然的進步」，故具備進步性：
  按目前的科技產品多以輕、薄、短、小為其訴求，為符合此
    一需求，積體電路的體積越小越理想。如證據2所針對之技
    術領域，係就「材料迥異的兩者（如陶瓷基板與矽半導體）
    之間熱延展差異」問題，提供「良好阻抗」之解決方式（見
    證據2說明書第40至65行之說明），並非屬於積體電路堆疊
    之技術領域，故依證據2專利所生產之產品，對於二片以上
    之積體電路，只能並列式地電連接於面積有限的電路板上，
    故積體電路在電路板的容置數量無法有效地提昇，顯然無法
    達到前述更為輕、薄、短、小之訴求。此外，將若干個積體
    電路予以疊合使用，雖可符合輕、薄、短小的訴求，然而如
    無適當間距，上層積體電路將會壓到下層積體電路之導線，
    以致將影響到下層積體電路之訊號傳遞。因此，系爭專利說
    明書圖一（以下稱習知技藝）及如證據1之積體電路堆疊構
    造，乃相應而生；惟習知技藝在製造上必須先製作隔離層，
    再將其黏著於下層積體電路上，而後再將上層積體電路黏著
    於隔離層上，其製造程序較為複雜，生產成本較高。而證據
    1 之構造，則係以黏著層取代習知技藝之隔離層，以使上、
    下二層積體電路形成適當間距；惟由於該黏著層中間欠缺填
    充元件，故難以避免左厚右簿、左簿右厚等厚簿不一的問題
    ，致影響疊合的效果。有鑑於此，系爭專利乃針對上述習知
    技藝之缺失予以改良，使其製造上更為便利，而降低生產成
    本。
  系爭專利之主要技術特徵在於具有一基板，該基板上具有一
    下層積體電路以及一上層積體電路，兩層積體電路間藉由黏
    著液及填充元件黏著，且藉由該填充元件使該下層積體電路
    與該上層積體電路間形成一適當之間距，以供設置複數條導
    線。習知技藝的兩層積體電路之間雖然也有間距，但是該間
    距並非如系爭專利係由黏著液及填充元件黏著而形成，而是
    以較不經濟的「隔離物」隔出，故系爭專利有顯然的進步，
    因此系爭專利申請專利範圍第1、6 項相較習知技藝具有進
    步性。證據1二片積體電路中間的間距係以黏著層隔開，但
    是會有黏著不平均時導致間距左右高低不平的缺點，證據2
    之目的係為了矽裸晶與陶瓷基材之間適當的接合，其目的在
    使材料迥異的兩者（而非兩片積體電路）之間熱延展差異，
    提供良好阻抗，與系爭專利係在構成適當間距以供設置複數
    條導線之目的不同，不可能提供系爭專利之教示，因此系爭
    專利申請專利範圍第1、6項相較證據1、2亦具有進步性。亦
    即，系爭專利所屬積體電路堆疊技術領域實係一技術發展空
    間有限之領域，且系爭專利改良習知技藝之缺失，而在技術
    上有微小的改進，依上開審查基準之規定，視為具有「顯然
    的進步」，因此應具進步性。再者，在系爭專利所屬積體電
    路堆疊技術領域中，系爭專利突破熟習該項技術者長久根深
    蒂固存在之上、下層積體電路隔離技術，而發展出較佳之解
    決方案，依上開審查基準之規定，應視為具有「顯然的進步
    」，因此亦具進步性。
  習知技藝、證據1之技術內容相較於證據2，應屬於非接近的
    技術領域，依上開審查基準之規定，習知技藝與證據2、或
    證據1與證據2之組合，視為非能輕易完成：
    習知技藝、證據1之技術內容屬積體電路堆疊技術領域，
      而證據2所針對者並非積體電路堆疊技術領域，因此習知
      技藝、證據1之技術內容相較於證據2，屬不同之技術領域
      。
    證據2之目的係為了矽裸晶與陶瓷基材之間適當的接合，
      其目的在使材料迥異的兩者 （而非兩片積體電路）之間熱
      延展差異，提供良好阻抗，已如前述，與習知技藝、證據
      1係為了在材料相同的兩層積體電路之間形成間距之目的
      完全不同，其解決發明問題之方式應屬不同，故技術領域
      應非接近。
    此外，證據1 之黏著層（38）之材料為樹脂等電絕緣材料
      （參其說明書第2 欄第67行以下：Example materials
      for adhesive 38 include epoxies and tape. Most
      preferred is a thermoplastic tape …）而證據2 之黏
      著接合材料（14）為例如銀- 玻璃黏膠，其黏著間隙元件
      （16）則由例如合金製成（參其申請專利範圍第2 項：
      wherein said adhesive paste composition is a
      silver -glass paste for attaching a semi-conduct
      or die to a ceramic substrate and said spacer
      elements are collapsible balls made from an alloy
      consisting of 49%Bi, 21%In, 18%Pb, and 12%Sn, by
      weight）二者皆非電絕緣材料。因此，證據1 之黏著層與
      證據2 之黏著間隙元件，前者為電絕緣材料組成，後者並
      未揭示其為電絕緣材料組成，其選用材料之不同實係發明
      目的與解決發明問題之方式之不同所致，且選用材料之不
      同其作用亦完全不同，應用領域也不同，易言之，二者之
      技術領域顯非接近。
    最後，證據2在矽裸晶與陶瓷基材兩層之間並無導線之設
      置（詳其說明書圖1），故其無須如習知技藝或證據1般留
      設導線之容置空間，因此，證據2與習知技藝或證據1間，
      其發明目的與解決發明問題之方式並不相同，其技術領域
      難稱接近。
    準上所述，習知技藝、證據1之技術內容相較於證據2，應
      屬於非接近的技術領域，故習知技藝、證據1、證據2並無
      法提供組合習知技藝、證據2，或組合證據1、2之組合教
      示，因之，尚無從以習知技藝、證據2之組合，或證據1、
      2之組合，證明系爭專利申請專利範圍第1、6項不具備進
      步性。反面言之，習知技藝與證據2、或證據1與證據2之
      組合，即應視為非能輕易完成，因此系爭專利具進步性。
  (四)並聲明：訴願決定撤銷。被告對於第09706116410 號訴
    願案，應為訴願駁回之決定。
三、被告辯稱：
  (一)系爭專利申請專利範圍共有9 項，其中第1 項及第6 項為獨
    立項，餘為附屬項。又依系爭專利說明書第5 頁所載，其發
    明特徵在於該積體電路堆疊構造包括，一基板；下層積體電
    路，係黏設於該基板上，複數條導線，其一端電連接於該下
    層積體電路上，另一端電連接於該基板；一黏著層，係塗佈
    於該下層積體電路上，其包括有黏著液及填充元件；及一上
    層積體電路，係疊合於該下層積體電路之第二表面上，藉由
    該黏著液與下層積體電路黏合固定，且藉由該填充元件之阻
    隔，使該下層積體電路與該積體電路間形成一適當之間距。
    第1 項係提供一種積體電路堆疊構造（圖2 ），其包括有：
    一基板（24），該基板具有一第一表面（26）及一第二表面
    （28），該第一表面形成有一訊號輸入端（29），該第二表
    面形成有一訊號輸出端（30）；一下層積體電路（32），其
    設有一第一表面（34） 及一第二表面（36），該第一表面
    係黏設於該基板之第一表面上，該第二表面具有複數個焊墊
    （38）；複數條導線（4 0 ），其一端電連接於該下層積體
    電路（32）之焊墊（38）上，另一端電連接於該基板（24）
    之訊號輸入端（29）；一黏著層（42），係塗佈於該下層積
    體電路（32）之第二表面（36），其包括有黏著液（44）及
    填充元件（46）；一上層積體電路（48），係疊合於該下層
    積體電路（32）之第二表面（36）上，藉由該黏著液（4 4
    ）與下層積體電路（32）黏合固定，且藉由該填充元件（46
    ）之阻隔，使該下層積體電路（32）與該上層積體電路（48
    ）間形成一適當之間距（50）。第6 項係提供一種積體電路
    堆疊構造之製造方法，其包括下列步驟：提供一基板（24）
    ；一下層積體電路（32）設於該基板（24）上；複數條導線
    （40）電連於該下層積體電路（32）與該基板（24）上；提
    供一具有黏著液（44）及填充元件（46）之黏著層（42）於
    該下層積體電路上（32）；將一上層積體電路（48）疊合於
    該下層積體電路（32）上，藉由該黏著層（42）與該下層積
    體電路（32）黏合，且藉由該填充元件（46）之阻隔，使該
    下層積體電路（32）與該上層積體電路（48）間形成一適當
    之間距（50）等。
  (二)習知技藝（系爭專利圖一）已揭露第二晶片（14）係藉由一
    隔離層（18）疊合於第一晶片（12）上方，使第二晶片（14
    ）疊合第一晶片（12）時，不致壓損下層之複數導線，其所
    述隔離層（18），用途即在於維持第一與第二晶片接合後之
    間隙，即可達成導線接合（16、17）時所需要之間隙高度，
    不至於被第二晶片（14）壓塌。又證據1 圖一左側已揭露，
    第二晶片（28）係藉由一間隙層（38）疊合於第一晶片（18
    ）上方，使第二晶片疊合第一晶片時，不致於壓損下層之複
    數個接合線路（44）；證據1 所述多晶片模組，其中採用一
    間隙層進行接合（圖一左側之38及圖一右側之52與30），並
    可在基板上堆疊之晶片間維持一接合高度，以保持接合線路
    （證據1 圖中基板上方左側MCM 之50、44及右側MCM 之50、
    56）所需之高度。另證據2 之發明背景依其說明書第一欄第
    5 至第10行所載，主要為思考半導體元件構裝時接合間隙之
    控制，而其發明目的在於藉由接合間隙層之組成，來控制接
    合介面間之間隙高度，且於說明書第二欄第35行至第43行已
    說明證據2 內容係一含有接合膠材與複數個散佈於接合膠材
    中之填充體組成之接合設計，其中可藉由膠材中填充體尺寸
    來控制兩接合介面於接合製成後之間距。
  (三)比對系爭專利（第1 項及第6 項獨立項）與習知技藝、證據
    1 及2 ：習知技藝所揭示之技術特徵與系爭專利所述整合黏
    合層（44）與填充元件（46）所欲達到之功效相同，即二者
    皆同為欲維持第一與第二晶片接合後之間隙，即可達成導線
    接合（40）時所需要之間隙高度，而不致於被第二晶片（48
    ）壓塌。又證據1 採用間隙層進行接合並在堆疊之晶片間維
    持一接合高度，以保持接合線路所需要之高度，其所欲達成
    之功效與系爭專利欲達成之效相同。證據2 在間隙層設計方
    法（接合膠材與複數個散佈於接合膠材中之填充體組成之接
    合設計）及所欲達成之目的功效（藉由接合間隙層之組成，
    來控制接合介面間之間隙高度。）亦相同。
  (四)習知技藝與證據1 中既已揭露晶片堆疊技術及因應堆疊晶片
    間距控制，採用一間隙層進行堆疊組裝之方法。而證據2 已
    揭露為達到控制晶片組裝於下層基板上表面時之間距，採用
    於接合膠材中添加可控制間隙高度之填充體之作法；則系爭
    專利申請專利範圍第1 項提供一種積體電路堆疊構造及第6
    項係提供一種積體電路堆疊構造之製造方法之技術特徵，乃
    為熟習該項技術者運用申請前既有之習知技藝或證據1 與證
    據2 所揭露資訊之結合，所能輕易完成者，應不具進步性。
    則原處分機關所為認定系爭專利應具進步性之理由，即有違
    法不當之處，應重新審查；又系爭專利之獨立項既有違反進
    步性之要件，則原處分機關認定其附屬項第2 項至第5 項及
    第7 項至第9 項應具進步性之理由亦有不妥，應一併重新審
    查。
  (五)至原告所述被告機關對系爭專利進步性之判斷顯有不備理由
    之處乙節。查被告機關就系爭專利是否具進步性，已於訴願
    決定書第6 頁先敘明系爭專利申請專利範圍第1 項及第6項
    所載技術特徵，再於第7 頁說明習知技藝、證據1 及證據2
    所揭露之技術特徵，並與系爭專利比對，而認習知技藝或證
    據1 與證據2 之組合可證明系爭專利申請專利範圍第1 項及
    第6 項獨立項不具進步性，並無理由不備之處。又83年1 月
    21日修正公布之專利法第20條第2 項所定「熟習該項技術者
    」係指「a person skilled in the art 」，其意為所屬技
    術領域中具有通常知識之人之能力，故本部在92年2 月6日
    修正專利法22條第4 項時，乃將原「熟習該項技術者」修正
    為「所屬技術領域中具有通常知識者。」（參見該第22條第
    4 項修正理由），是「所屬技術領域具有通常知識者」與「
    熟習該項技術者」二用語，應為相同之意義。另訴願決定並
    未認證據3 或4 或其等與習知技藝、證據1 、2 之組合可證
    明系爭專利不具進步性，是原告所述，尚不足採。
  (六)綜上所述，習知技藝或證據1 與證據2 可證明系爭專利申請
    專利範圍第1 項及第6 項獨立項不具進步性，且系爭專利申
    請專利範圍第2-5 及第7-9 項附屬項是否具進步性，亦應一
    併重新審查，從而原處分機關審認該等證據之組合尚難證明
    系爭專利不具進步性，所為「舉發不成立」之處分自有未洽
    。
  (七)並聲明：駁回原告之訴。訴訟費用由原告負擔。
四、參加人主張：
  (一)訴願決定具體載明系爭專利不具進步性之理由，並無不備理
    由之情事。
  訴願決定書謂：「習知技藝（系爭專利圖1）所述之隔離層
    （18），用途即在於維持第一與第二晶片接合後之間隙，即
    可達成導線接合（16、17）時所需要之間隙高度，而不至於
    被第二顆晶片（14）壓塌。其與系爭專利所述整合黏合層（
    44 ） 與填充元件（46）所欲達到之功效相同」、「證據1
    所欲達成之功效是與系爭專利欲達成之功效相同；但在方法
    特徵上，證據1 係採用塊狀物作為間隙層，而系爭專利係採
    用黏著液（系爭專利圖2 之44）中含有填充元件（系爭專利
    圖2之46 ）之方法作為間隙層，為兩者差異之處。」及「以
    證據2 與系爭專利比較，在間隙層之設計方法實為相同，欲
    達成之目的功效也相同，雖然證據2 所述之圖示為IC與基板
    之間，而系爭專利則強調於堆疊之IC與IC之間，但於IC及IC
    間堆疊間隙之形成概念，則已於習知技藝及證據1 中揭露。
    」之理由及證據，因而達成「因此，系爭專利申請專利範圍
    獨立項第1 項提供一種積體電路堆疊構造及第6 項係提供一
    種積體電路堆疊構造之製造方法，為所屬技術領域中具有通
    常知識者，可運用習知技藝或證據1 與證據2 揭露之資訊輕
    易結合者，即為運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該
    項技術者所能輕易完成，應不具進步性」之結論。是以，本
    件訴願決定書已敘明其理由及證據，並依據邏輯分析，及論
    理與經驗法則，而獲得「系爭專利申請專利範圍獨立項第1
    項及第6 項應不具進步性」之結論。且舉發審定書第3 頁及
    訴願決定書第2 、3 頁明揭證據1 至4 之專利案公告早於系
    爭專利申請日，固此，引證資料為系爭專利申請日之前之既
    有技術及知識。原告刻意忽略訴願決定書第7 頁末2 行至第
    9 頁第8 行之理由及證據，憑空指摘訴願決定書之理由不合
    論理法則，實不可採。
  被告機關係以舉發證據之組合作為分析比對，且舉發證據之
    組合均與系爭專利所欲達成之目的功效相同，認為系爭專利
    不具進步性。而原告則以切割個別證據比較結果，做為系爭
    專利具有進步性之理由，漏未就舉發證據為整體判斷，且未
    能具體提出系爭專利更具突出的技術特徵、顯然進步，及不
    易由邏輯分析、推理或試驗而得之理由。是故，原告系爭專
    利具進步性之推論難謂合理。
  (二)系爭專利之申請專利範圍第1項及第6項，得結合證據1、2或
    結合習知技藝（系爭專利圖1）及證據2，予以呈現，係屬運
    用申請前既有之技術或知識，而為熟知該項技術者所能輕易
    完成，故欠缺進步性：
  證據1至少已揭示「藉由一黏著層使上層積體電路與下層積
    體電路黏合時，可同時使上層積體電路與下層積體電路形成
    一間距，而複數條導線恰位於間距內，不致被上層積體電路
    壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏著堆疊之功效」
    之技術特徵。證據1之發明摘要亦明白揭示：該黏著層（38
    ）之厚度係大於連接至該第一晶片（18）之第一導線（44）
    之高度，使該第一導線（44）位於該適當之間距內，以避免
    上層之第二晶片（28）接觸該第一導線（44）而造成元件之
    損壞（the thickness of the adhesive layer being
    greater than the loop height to displace the second
    chip base face in a non-contacting relationship
    above and with respect to the first wires）。質言之
    ，證據1雖未揭示「於黏著層中使用填充元件來維持適當之
    間距」之技術特徵。惟至少已揭示「藉由一黏著層使上層積
    體電路與下層積體電路黏合時，可同時使上層積體電路與下
    層積體電路形成一間距，而複數條導線恰位於間距內，不致
    被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予以黏
    著堆疊之功效」之技術特徵。亦即，證據1與系爭專利之技
    術特徵差異，僅在證據1之黏著層（38）中未散佈填充元件
    ，而系爭專利係以填充元件散佈於黏著液（相當於證據1的
    黏著層38） 中，加強對上層積體電路之支撐，維持上、下
    層積體電路間之接合厚度（或適當間距）。
  證據2已揭示具有與系爭專利之填充元件相同技術特徵之間
    隙元件，查證據2 所揭示之間隔元件（spacer elements）
    （16） 散佈於黏著劑中，可用於系爭專利所屬之積體電路
    封裝技術領域。證據2之說明書謂：該發明之背景係為半導
    體元件構裝時接合間隙之控制（control of the bonding
    line thickness）（參該說明書第一欄第5至第10行）；又
    發明目的主要在於藉由接合間隙層之組成，以控制接合介面
    間之間隙高度（參該說明書第二欄之第24至第28行）；另證
    據2 之內容係一含有接合膠材與複數個散佈於接合膠材中之
    填充體組成之接合設計，並得藉由膠材中填充體尺寸來控制
    兩接合介面於接合製程後之間距（參該說明書第二欄之第35
    至43行）。是以，相較證據2 與系爭專利，在間隙層之設計
    方法實為相同，欲達成之目的功效也相同。縱證據2 所述之
    圖示為IC與基板之間，與系爭專利強調於堆疊之IC與IC間有
    所差異，惟於IC及IC間堆疊間隙之形成概念，則已於習知技
    藝及證據1 中揭露。
  系爭專利所揭露之技術特徵及功效，未脫離或超出證據1、2
    結合後之技術範疇及效果：
    由於證據2係利用間隙元件散佈於黏著劑中，以加強對上
      方元件的支撐力，可解決證據1僅有黏著劑（即證據1之黏
      著層38）支撐上方元件，較無法維持接合厚度之問題。
    是以，熟習該技術者，依據當時已公開之證據2 所揭露「
      間隙元件散佈於黏著劑中，可用於系爭案所屬之積體電路
      封裝技術領域，在二被黏著的元件間可提供所需要的接合
      厚度或適當之間距，藉由足夠堅固之間隙元件於黏著劑中
      支撐上方之矽晶片，以維持所要之接合厚度」的技術特徵
      ，即可利用證據2之間隙元件散佈至證據1的黏著層中，形
      成具有間隙元件的黏著層，黏合並間隔上、下層積體電路
      之間，以增強證據1之黏著層對上層積體電路的支撐，即
      可解決系爭專利所欲解決之問題，而呈現系爭專利之技術
      內容及效果。
    換言之，熟習系爭專利技術者得輕易將證據2 散佈於黏著
      劑中的填充元件（16），結合至證據1間隔於上、下層積
      體電路間的黏著層（38）中，而形成系爭專利所揭露「藉
      由一具有填充元件之黏著層使上層積體電路與下層積體電
      路黏合時，可同時由填充元件使上層積體電路與下層積體
      電路形成一適當之間距，而複數條導線恰位於間距內，不
      致被上層積體電路壓損，具有便於將上、下兩積體電路予
      以黏著堆疊之功效」之技術特徵與功效。
  (三)相較於組合證據（即習知技藝與證據2、證據1與2），原告
    未能證明系爭專利係屬技術發展空間有限之領域，亦未能提
    出在技術上有何種微小的改進：
  原告主張習知技藝、證據1、2、3、4均未揭露系爭專利申請
    專利範圍第1 項及第6 項藉由該填充元件之阻隔（46），使
    該下層積體電路（32）與該上層積體電路（48）間形成一適
    當之間距（50）技術，相較之下，系爭專利顯然係在技術發
    展空間有限之領域中，在技術上有微小的改進，依專利審查
    基準規定得視為具有顯然進步，因此，習知技藝、證據1 、
    2 、3 、4 不可能提供該技術特徵組合之教示云云，而認為
    相較於組合證據（即習知技藝與證據2 、證據1 與2 ），系
    爭專利具進步性。
  惟原告如欲主張系爭專利具有「顯然的進步」，尚需證明系
    爭專利屬於「技術發展空間有限之領域」，倘成立，則再究
    系爭專利是否具有「微小改進」，始可主張其具有「顯然的
    進步」。然而，原告未證明系爭專利是否屬於「技術發展空
    間有限之領域」及何處具有「微小改進」，而逕認為系爭專
    利具專利進步性之詞，不足採信。
  (四)參加人另曾就系爭專利之相應美國專利第6441496 號，向美
    國專利商標局（USPTO ）提出複審（reexamination ）之要
    求。參加人亦提出相同之習知技藝（系爭專利圖1 ，APA ）
    、證據1 （Ball專利）及證據2 （Dershem 專利）主張該美
    國專利無效。而美國專利商標局（USPTO ）審查委員肯認證
    據2 所揭露之間隔元件與習知技藝或證據1 的上下晶片間之
    黏著接合材料相結合，用來維持兩積體電路之間隙，於系爭
    專利發明當時是顯而易見的。
  (五)並聲明：駁回原告之訴。訴訟費用由原告負擔。
五、本院查：
  (一)系爭專利申請日為89年11月22日，經被告審查後，於90年9
    月5日核准審定准予專利，是以系爭專利是否有應撤銷之原
    因，自應以核准審定時所適用之83年1月21日修正公布之專
    利法（下稱核准時專利法）為斷。其次，原告於96年4月4日
    更正申請專利範圍，刪除原申請專利範圍第4項及第9項，經
    被告審查認為該更正本與90年10月11日之公告本比較，為申
    請專利範圍減縮之更正，並未超出申請時原說明書或圖式所
    揭露之範圍，且未實質擴大或變更申請專利範圍，符合現行
    專利法第64條第1 項第1 款及第2 項之規定准予更正，原告
    就此亦未爭執，是以本件自應就96年4 月4 日更正並公告之
    申請專利範圍予以審究。
  (二)按發明，係指利用自然法則之技術思想之高度創作，核准時
    專利法第19條定有明文。又發明係運用申請前既有之技術或
    知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，不得依專利法
    申請取得發明專利，同法第20條第2 項亦有明文。而發明有
    違反第20條第2 項規定之情事者，任何人得附具證據，向專
    利專責機關提起舉發（同法第71條第1 項第1 款、第72條第
    1 項規定參照）。準此，系爭專利有無違反核准時專利法第
    20條第2 項所定情事而應撤銷其發明專利權，依法應由舉發
    人（即參加人）附具證據證明之，倘其證據足以證明系爭專
    利有違前揭專利法之規定，自應為舉發成立之處分。此外，
    原處分認系爭專利申請專利範圍第1 項及第6 項具進步性，
    而訴願決定則認系爭專利申請專利範圍第1 項及第6 項為所
    屬技術領域中具有通常知識者可運用習知技藝或證據1 與證
    據2 揭露之資訊輕易結合，應不具進步性，而撤銷原處分，
    惟未就系爭附屬項逐一探究，是以本件主要爭點為：96年4
    月4 日更正後之系爭專利申請專利範圍第1 項、第6 項是否
    為熟習該項技術者運用習知技藝（即系爭專利圖一）或證據
    1 與證據2 之技術或知識所能輕易完成？
  (三)查系爭專利更正後申請專利範圍共9 項，其中第1 、6 項為
    獨立項，其餘為附屬項。
  第1項為：「一種積體電路堆疊構造（圖2參照），其包括有
    ：一基板（24），該基板具有一第一表面（26）及一第二表
    面（28），該第一表面形成有一訊號輸入端（29），該第二
    表面形成有一訊號輸出端（30）；一下層積體電路（32），
    其設有一第一表面（34 ）及一第二表面（36），該第一表
    面係黏設於該基板之第一表面上，該第二表面具有複數個焊
    墊（38）；複數條導線（40），其一端電連接於該下層積體
    電路（32）之焊墊（38）上，另一端電連接於該基板（24）
    之訊號輸入端（29）；一黏著層（42），係塗佈於該下層積
    體電路（32）之第二表面（36），其包括有黏著液（44）及
    填充元件（46）；一上層積體電路（48），係疊合於該下層
    積體電路（32）之第二表面（36）上，藉由該黏著液（44）
    與下層積體電路（32）黏合固定，藉由該填充元件（46）之
    阻隔，使該下層積體電路（32）與該上層積體電路（48）間
    形成一適當之間距（50）。」。
  第6項為：「一種積體電路堆疊構造之製造方法，其包括下
    列步驟：提供一基板（24）；一下層積體電路（32）設於該
    基板（24）上；複數條導線（40）電連於該下層積體電路（
    32）與該基板（24）上；提供一具有黏著液（44）及填充元
    件（46）之黏著層（42）於該下層積體電路上（32）；將一
    上層積體電路（48）疊合於該下層積體電路（32）上，藉由
    該黏著層（42）與該下層積體電路（32）黏合，且藉由該填
    充元件（46）之阻隔，使該下層積體電路（32）與該上層積
    體電路（48）間形成一適當之間距（50）。」。
  (四)經查，系爭專利說明書圖1 （習知技藝）及系爭專利說明書
    第4 頁發明說明揭示「習知一種積體電路堆疊構造，請參閱
    圖一，其包括有一基板（10）、一下層積體電路（12）、一
    上層積體電路（14）、複數個導線（16、17）及一隔離層（
    18 ） 。下層積體電路（12）係設於基板（10）上，上層積
    體電路（14）係藉由隔離層（18）疊合於下層積體電路（12
    ）上方，使下層積體電路（12）與上層積體電路（14）形成
    一適當之間距（20），如是，複數個導線（16）即可電連接
    於下層積體電路（12）邊緣，使上層積體電路（14）疊合於
    下層積體電路（12）上時，不致於壓損下層之複數個導線（
    17 ） 。」（見NO1 舉發卷第61頁），證據1 為美國西元
    1994 年6月21日公告之第5323060 號「Multichip module
    havin g a stacked chip arrangement」專利案，其揭示一
    多晶片堆疊模組，包括有一基板（12）、第一晶片（18）、
    第二晶片（28）、複數條接合線（44）及一黏著層（38）。
    第一晶片（18）係設於基板（12）上，第二晶片（28）係藉
    由黏著層（38）疊合於第一晶片（18）上方，黏著層（38）
    具有一厚度（40），使第一晶片（18）與第二晶片（28）形
    成一適當之間距。經比對系爭專利第1 項與習知技藝及證據
    1 ，習知技術係藉由隔離層（18）之結構，使上、下層積體
    電路維持一適當間距，證據1 係在一多晶片模組中藉由具有
    一厚度之黏著層（38）來達成第一、二晶片間距有一間距。
    而系爭專利係藉由一具有黏著液（44）與填充元件（46）之
    黏著層使上、下積體電路黏合固定，藉由該填充元件之阻隔
    ，使該下層積體電路與該上層積體電路間形成一適當之間距
    （50），習知技藝及證據1 與系爭專利之不同在於形成晶片
    間間距之結構材料不同。
  (五)次查，證據2 為美國西元1993年8 月3 日公告之第5232962
    號「Adhesive bonding composition with bond line
    limiting spacer system」專利案，證據2 說明書之「發明
    摘要（ABSTRACT) ）」記載：「一種具有接合線限制間隔系
    統之黏著接合物，其包括有：一黏著劑，其具有一可硬化黏
    著成分，以及複數個分佈於該黏著劑中之間隔元件。該等間
    隔元件可按尺寸製作，以於欲被接合的表面之間提供一自我
    限制的接合厚度。」（見NO1 舉發卷第42頁），而證據2 圖
    1 及說明書第2 欄第60至64行揭示「參考第1 圖，一對基板
    （10）及（12）可利用一黏著接合材料（14）將兩者接合在
    一起，並使兩者表面相對，該黏著接合材料（14）包括複數
    個散佈於其中的黏著間隙元件（16）」（見NO1 舉發卷第39
    頁），說明書第3 欄第1 至5 行揭示「該等間隙元件可為不
    被壓塌之球面形狀元件，且可由任何不與環氧樹脂載子起反
    應之合適材料所形成，該間隙元件亦須足夠堅固俾以維持所
    要之接合線厚度」（見NO1 舉發卷第38頁），是以證據2 已
    揭示系爭專利藉由具有填充元件之黏著層，來形成兩晶片或
    晶片與基板間適當間距之技術特徵。原告雖主張習知技藝及
    證據1 係為了在材料相同之兩層積體電路之間形成間距，證
    據2 之黏著間隙元件（16）所提供之接合線厚度是為了使材
    料迥異的兩者（例如：矽裸晶及陶瓷基材）之間熱延展差異
    ，提供良好阻抗，兩者所欲解決問題不同，技術領域非相近
    ，故習知技藝及證據1 與證據2 之組合，應視為非能輕易完
    成等語，惟查，證據2 說明書第1 欄第6 至10行揭示「本發
    明係有關一種黏著接合技術，尤其特別用於控制接合線厚度
    之表面接合，例如有關封裝半導體元件的裝置」（見NO1 舉
    發卷第39頁），足徵習知技藝或證據1 及證據2 皆屬半導體
    晶片堆疊封裝相同之技術領域。抑有進者，證據2 揭示藉由
    具有間隙元件之黏著材料來黏著一基板（12）與晶片（10）
    ，復揭示該間隙元件（16）提供晶片與基板間一適當間距之
    功效，其已教示習知技藝中之隔離層置換為證據2 之黏著材
    料或證據1 之黏著層與證據2 之黏著材料之組合動機，而完
    成系爭專利請求項第1 項之藉由具有黏著液與填充元件之黏
    著層，使上、下層積體電路黏合固定，並藉由填充元件維持
    上、下積體電路間形成適當間距之發明，且習知技藝或證據
    1 與證據2 置換或組合後之發明並未產生無法預期之功效，
    是以系爭專利申請專利範圍第1 項為該發明對於從事晶片黏
    著封裝之技術領域者，依習知技藝或證據1 與證據2 之技術
    所能輕易完成。至於申請專利範圍第6 項係一種積體電路堆
    疊之製造方法，其係有關請求項第1 項之積體電路堆疊構造
    之製造方法，其主要技術特徵在於提供一具有黏著液及填充
    元件之黏著層於該下層積體電路上，將一上層積體電路疊合
    於該下層積體電路上，藉由該黏著層與該下層積體電路黏合
    ，且藉由該填充元件之阻隔，使該下層積體電路與該上層積
    體電路間形成一適當之間距，承前所述，該方法亦可由習知
    技藝、證據1 及證據2 之組合而完成系爭專利申請專利範圍
    第6 項之方法發明，而為從事晶片黏著封裝之技術領域者，
    依申請前之既有技術或知識所能輕易完成。
  (六)末查，訴願決定書第7 頁最末一行至第9 頁第8 行已描述習
    知技術、證據1 、證據2 所揭示之技術特徵暨與系爭專利差
    異處，訴願決定書第9 頁之理由(三)亦已具體論述系爭專利申
    請專利範圍第1 項、第6 項何以為習知技藝或證據1 與證據
    2 可輕易結合而不具進步性之理由，訴願決定並無理由不備
    之處，原告所述實不足採。另原告訴稱：訴願決定理由對於
    進步性之認定出現「所屬技術領域具有通常知識者」與「熟
    習該項技術者」二用語？究兩者為相同或不同之判斷標準？
    訴願決定之判斷標準是否適用系爭專利核准審定時之專利法
    第20條第2 項規定乙節，查83年1 月21日修正公布之專利法
    第20條第2 項所定「熟習該項技術者」係指「a person
    skilled in the art」，其意為所屬技術領域中具有通常知
    識之人之能力，嗣於92年2 月6 日修正專利法第22條第4 項
    時，為釐清其概念，遂將條文修正為「所屬技術領域中具有
    通常知識者」，此有專利法第22條第4 項修正理由可資參照
    （見本院卷第101 頁反面），是以「熟習該項技術者」與「
    所屬技術領域具有通常知識者」二用語，其意義及判斷標準
    並無不同，附此敘明。
六、綜上所述，系爭專利申請專利範圍第1 項及第6 項之技術特
    徵均為熟習該發明技術領域者，依習知技藝或證據1 與證據
    2 之技術所能輕易完成，被告據此而認原處分機關所為認定
    系爭專利獨立項應具進步性之理由，既有違法不當之處，而
    將原處分撤銷，責由原處分機關另為適法之處分，核屬正當
    。原告仍執前詞，請求撤銷訴願決定，為無理由，應予駁回
    。
七、本件事證已明，兩造其餘主張或答辯，已與本院判決結果無
    涉，爰毋庸一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第98條第1
項前段，判決如主文。
中    華    民    國    98    年     6    月    4     日
                智慧財產法院第一庭
                            審判長法  官  李得灶
                                  法  官  王俊雄
                                  法  官  林欣蓉
以上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內向本院提出上訴狀並表明上訴
理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20
日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中    華    民    國    98    年     6    月    4     日
                                  書記官  周其祥